Transistor à nanotube de carbone

Pour la première fois un nanotube de carbone a enfin permis de surpasser le silicium dans l'effet transistor. Cela fait vingt ans que l'on cherche à surpasser ce substrat et voilà qu'enfin deux professeurs de l'UW-Madison ont réussit à faire commuter cinq fois plus vite tout en écoulant cinq fois plus de courant un montage de type transistor à base de nanotube de carbone. Certes on ne sait rien sur la robustesse ni sur le prix d'un tel composant actif, mais il permet de fonder qqs espoirs pour les télécom en sans fil.

http://www.spacedaily.com/reports/For_first_time_carbon_nanotube_transistors_outperform_silicon_999.html

Une nouvelle air de l'informatique s'ouvre a nous :eeks: (en attendant de vrai ordinateurs quantiques ? ) . Et voila une nouvelle manière de repousser encore et toujours les limites de la loi de moore...

Rayon atomique d'un atome de carbone : 70 pm
Rayon atomique d'un atome de silicium : 117,6 pm
Ça ne permettrait de repousser la densité d'intégration limite théorique que d'un facteur ~2,8... Soit un gros node de la conjecture de Moore.

yoann a écrit:Une nouvelle air de l'informatique s'ouvre a nous  :eeks:  (en attendant de vrai ordinateurs quantiques ? ) .

Jusqu'à preuve du contraire, un ordinateur quantique n'est pas un "vrai" ordinateur au sens machine de Turing. En gros, n'espère pas faire tourner KSP sur un ordinateur quantique, il n'est pas fait pour.

Je ne sais pas quoi dire à ce sujet, mais si la commutation d'un transistor est 5 fois plus rapide qu'un autre c'est sans doute non négligeable, par contre véhiculer 5 fois plus d'énergie cela me parle en terme d'intégration encore que 5 fois plus d'énergie sur une surface moindre ne dispense pas d'évacuer la chaleur et là le problème s'aggrave (?).

Astro-notes a écrit:Je ne sais pas quoi dire à ce sujet, mais si la commutation d'un transistor est 5 fois plus rapide qu'un autre c'est sans doute non négligeable, par contre véhiculer 5 fois plus d'énergie cela me parle en terme d'intégration encore que 5 fois plus d'énergie sur une surface moindre ne dispense pas d'évacuer la chaleur et là le problème s'aggrave (?).

Une commutation plus rapide, c'est moins de puissance dissipée. Donc la puissance admissible pour une surface donnée (avec la nouvelle densité d'intégration présentée) est ici 5 fois plus élevée. Le facteur indiqué vient sans doute de là.

spacedaily.com a écrit:
Carbon nanotube transistors should be able to perform five times faster or use five times less energy than silicon transistors, according to extrapolations from single nanotube measurements.

La possibilité d'avoir une densité de courant maximale 1,9 fois plus élevée est également intéressante. Je me demande si cette technologie va s'imposer dans le futur pour l'électronique de puissance.

Astro-notes a écrit:
Cela fait vingt ans que l'on cherche à surpasser ce substrat

Il me semble que le substrat reste du silicium. C'est seulement la partie active qui est implantée en nanotubes de carbone (à confirmer).

On va garder un œil dessus. Ce n'est pas la première fois que l'on annonce la fin du silicium (terme générique) pour espérer aller beaucoup plus loin en performances.

Beaucoup ne juraient que par le graphène il y a quelques années, et...